三菱IGBT模塊CM200DY-12H

型號：	CM200DY-12H
報價：	999

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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

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MITSUBISHI IGBT MODULES 2單元IGBT模塊VCES200A IC=600V

日本三菱 IGBT 模塊600V/2U系列：
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CM200DY-12H	CM200DY-12NF	CM200DU-12H	CM200DUS-12F	CM600DU-5F
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