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富士IPM模塊7MBP75RA120
日本FUJI富士智能IGBT功率模塊7MBP75RA120
富士7單元IPM功率模塊7MBP75RA120
1200V 75A 大功率IPM模塊7MBP75RA120
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7MBP75RA120內(nèi)置6單元IGBT+剎車電路
中央變頻空調(diào)常用變頻模塊7MBP75RA120
富士大功率IPM模塊;富士6單元IPM模塊;富士7單元IPM模塊;富士600V IPM模塊;富士1200V IPM 模塊
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成,其中IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。
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