中文字幕少妇二区三区,一区二区三区不卡日韩,日韩视频在线观看中文字幕,日韩精品亚洲欧美成人综合

產(chǎn)品展示
當(dāng)前位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品展示 > IGBT模塊 > HITACHI日立IGBT模塊 >供應(yīng)日立IGBT模塊41A296305ECP2
供應(yīng)日立IGBT模塊41A296305ECP2

供應(yīng)日立IGBT模塊41A296305ECP2

型    號(hào)： MBN1200D25B
報(bào)    價(jià)： 9999
分享到：

供應(yīng)日立IGBT模塊41A296305ECP2
北京京誠(chéng)宏泰科技
ABB的 IGBT功率模塊為電壓從1700伏特至6500伏特的單一IGBT，雙/橋臂式IGBT，斬波和雙二極管模塊。大功率的HiPak IGBT模塊具備軟開關(guān)低損耗和高極限較寬的SOA兩大特點(diǎn)。

詳細(xì)資料：

供應(yīng)日立IGBT模塊41A296305ECP2

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)日立IGBT模塊41A296305ECP2

日立IGBT特點(diǎn)：

  • 耐熱疲勞耐量大
  • 快恢復(fù)開關(guān)和低損耗IGBT模塊
  • 通過(guò)高速軟恢復(fù)二極管減少噪音
  • 通過(guò)低輸入電容MOS門極實(shí)現(xiàn)低功率驅(qū)動(dòng)
  • 可靠性高、耐久性高

日立IGBT技術(shù)

TrenchTrench Gate
降低Vce（sat）
LiPTLow Injection Punch Through
減少開關(guān)損耗
sLiPtSoft Low Injection Punch Through
低噪音，降低峰值電壓
HiGTHigh Conductivity IGBT
降低Vce（sat）

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨

PackageIC(A)Type Name
(Update)		FeatureStatus*1Application Note
1in1 IGBT1200
  • MBN1200E17D
    (PDF format, 293kBytes)
    (2013/03/01)
 M 
1600
  • MBN1600E17D
    (PDF format, 594kBytes)
    (2013/03/01)
 M 
1800
  • MBN1800E17DD
    (PDF format, 679kBytes)
    (2013/03/01)
Soft diodeM 
2400
  • MBN2400E17D
    (PDF format, 282kBytes)
    (2014/08/07)
 M 
2in1 IGBT600
  • MBM600E17D
    (PDF format, 512kBytes)
    (2012/8/28)
 M
  • 2in1 Application Note
    (PDF format, 248kBytes)
1200
  • MBM1200E17D
    (PDF format, 589kBytes)
    (2013/03/01)
 M
  • 2in1 Application Note
    (PDF format, 248kBytes)
600
  • MBM600F17D
    (PDF format, 1.02MBytes)
    (2013/03/01)
Direct liquid coolM
  • technical paper
    (PDF format, 163kBytes)*2
  • 2in1 Application Note
    (PDF format, 248kBytes)
Chopper1200
  • MBL1200E17D
    (PDF format, 325kBytes)
    (2013/03/01)
 M 
2in1
Diode		900
  • MDM900E17D
    (PDF format, 301kBytes)
    (2013/03/01)
 M 
1200
  • MDM1200E17D
    (PDF format, 305kBytes)
    (2013/03/01)
 M 

*1北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨

M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued

*2

The first publication of the papers was at PCIM Europe Conference2010.

1700V E-Version

  • Low VCE(sat)
  • Soft switching
PackageIC(A)Type Name
(Update)		FeatureStatus*1Application Note
1in1 IGBT1200
  • MBN1200E17E
    (PDF format, 679kBytes)
 M 
1800
  • MBN1800E17E
    (PDF format, 827kBytes)
 M 

*1

M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued

1700V F-Version

  • Advanced Trench HiGT - sLiPT
  • Low VCE(sat)
  • Soft switching
  • Low spike voltage
PackageIC(A)Type Name
(Update)		FeatureStatus*1Application Note
1in1 IGBT1600
  • MBN1600E17F
    (PDF format，459kBytes)
    (2015/3/10)
 M
  • technical paper
    (PDF format, 382kBytes)*2
2400
  • MBN2400E17F
    (PDF format, 436kBytes)
    (2012/11/30)
 W
  • technical paper
    (PDF format, 382kBytes)*2
3600
  • MBN3600E17F
    (PDF format, 408kBytes)
    (2015/3/10)
 M
  • technical paper
    (PDF format, 382kBytes)*2
2in1 IGBT800
  • MBM800E17F
    (PDF format，338kBytes)
    (2015/10/09)
 W
  • technical paper
    (PDF format, 382kBytes)*2
  • 2in1 Application Note
    (PDF format, 248kBytes)
1200
  • MBM1200E17F
    (PDF format，771kBytes)
    (2015/07/29)
 M
  • technical paper
    (PDF format, 382kBytes)*2
  • 2in1 Application Note
    (PDF format, 248kBytes)
Chopper1200
  • MBL1200E17F
    (PDF format，768kBytes)
    (2015/10/09)
 M
  • technical paper
    (PDF format，382kBytes)*2
1600
  • MBL1600E17F
    (PDF format，618kBytes)
    (2015/10/09)
 M
  • technical paper
    (PDF format，382kBytes)*2
  •  

MBN1200E25C 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨

3300V A-Version

  • Standard 2nd Generation
PackageIC(A)Type Name
(Update)		FeatureStatus*1Application Note
1in1
Diode		1200
  • MDN1200D33
    (PDF形式, 170kBytes)
 M 

*1

M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued

3300V C-Version

  • Standard 3rd generation Planer IGBT
PackageIC(A)Type Name
(Update)		FeatureStatus*1Application Note
1in1 IGBT1200
  • MBN1200E33C
    (PDF形式, 390kBytes)
 M 
Chopper800
  • MBL800E33C
    (PDF形式, 504kBytes)
 M 

*1

M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued

3300V D-Version

  • Planer IGBT - LiPT
  • Low switching loss
PackageIC(A)Type Name
(Update)		FeatureStatus*1Application Note
1in1 IGBT800
  • MBN800E33D
    (PDF形式, 409kBytes)
    (2013/03/01)
 M 
800
  • MBN800E33D-AX
    (PDF形式, 316kBytes)
    (2013/07/01)
  • Low recovery loss
  • For high frequency application
M 
1200
  • MBN1200E33D
    (PDF形式, 277kBytes)
    (2013/03/01)
 M 
1200
  • MBN1200H33D
    (PDF形式, 335kBytes)
    (2013/03/01)
  • High isolation package
M 
2in1 IGBT400
  • MBM400E33D-MFR
    (PDF形式，702kBytes) (2015/10/09)
  • Ultra low switching loss and recovery loss
  • For high frequency application
M
  • technical paper *2
    (PDF形式、724kBytes)
  • 2in1 Application Note
    (PDF形式、248kBytes)
Chopper400
  • MBL400E33D
    (PDF形式, 695kBytes)
    (2013/03/01)
 M 
800
  • MBL800E33D
    (PDF形式, 701kBytes)
    (2013/03/01)
 M 
2in1
Diode		800
  • MDM800E33D
    (PDF形式, 185kBytes)
    (2013/03/01)
 M 
1200
  • MDM1200E33D
    (PDF形式, 224kBytes)
    (2013/03/01)
 M 

*1

M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued

*2

The first publication of the papers was at PCIM Europe Conference 2012.

3300V E-Version

  • Planer HiGT - sLiPT
  • Low VCE(sat)
  • Soft switching
PackageIC(A)Type Name
(Update)		FeatureStatus*1Application Note
1in1 IGBT800
  • MBN800E33E
    (PDF形式, 591kBytes)
    (2012/11/30)
 M 
1200
  • MBN1200E33E
    (PDF形式，468kBytes)
    (2015/03/10)
 M 
Chopper800
  • MBL800E33E
    (PDF形式, 443kBytes)
    (2013/03/01)
 M 

*1

M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued

3300V E2-Version

  • Fine Planer HiGT - sLiPT
  • Low VCE(sat)
  • Soft switching
PackageIC(A)Type Name
(Update)		FeatureStatus*1Application Note
1in1 IGBT1000
  • MBN1000E33E2
    (PDF形式, 286kBytes)
    (2013/07/01)
 M 
1500
  • MBN1500E33E2
    (PDF形式, 353kBytes)
    (2013/07/01)
 M 
2in1 IGBT500
  • MBM500E33E2-R
    (PDF形式, 559kBytes)
    (2014/08/07)
 M
  • 2in1 Application Note
    (PDF形式, 248kBytes)
Chopper1000
  • MBL1000E33E2-B
    (PDF形式, 227kBytes)
    (2012/11/30)
 M 

*1

M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued

3300V E3-Version

  • Fine Planer HiGT - sLiPT
  • Soft switching
  • Low spike voltage
  • For large Ls circuit, series connection
PackageIC(A)Type Name
(Update)		FeatureStatus*1Application Note
1in1 IGBT1500
  • MBN1500E33E3
    (PDF形式, 371kBytes)
    (2013/07/01)
 M 
2in1 IGBT250
  • MBM250H33E3
    (PDF形式, 502kBytes)
    (2015/07/29)
  • High isolation package
M 

*1

M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued

3300V F-Version

  • Advanced Trench HiGT - sLiPT
  • Low VCE(sat)
  • High current rating
  • RoHS compliance
PackageIC(A)Type Name
(Update)		FeatureStatus*1Application Note
1in1 IGBT1200
  • MBN1200F33F
    (PDF形式，698kBytes)
    (2015/05/15)
 M
  • technical paper
    (PDF形式, 388kBytes)*2
1800
  • MBN1800F33F
    (PDF形式，661kBytes)
    (2015/05/15)
 M
  • technical paper
    (PDF形式, 724kBytes)*3
  •  

4500V D-Version

  • Planer IGBT - LiPT
  • Low switching loss
PackageIC(A)Type Name
(Update)		FeatureStatus*1Application Note
1in1 IGBT600
  • MBN600E45A
    (PDF形式, 290kBytes)
 M 
900
  • MBN900D45A
    (PDF形式, 298kBytes)
 M 
2in1
Diode		600
  • MDM600E45A
    (PDF形式, 198kBytes)
 M 
900
  • MDM900E45A
    (PDF形式, 158kBytes)
 D 

*1

M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued

4500V E2-Version

  • Fine Planer HiGT - sLiPT
  • Low VCE(sat)
  • Soft switching
PackageIC(A)Type Name
(Update)		FeatureStatus*1Application Note
1in1 IGBT800
  • MBN800H45E2
    (PDF形式，468kBytes)
    (2015/05/15)
  • High isolation package
M 
1200
  • MBN1200H45E2
    (PDF形式，543kBytes) (2015/03/10)
  • High isolation package
M 
2in1
Diode		800
  • MDM800H45E2
    (PDF形式，425kBytes) (2015/10/09)
  • High isolation package
M 
1200
  • MDM1200H45E2
    (PDF形式, 291kBytes) (2013/07/01)
  • High isolation package
M 

*1

M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued

4500V E2-H-Version

  • Fine Planer HiGT - sLiPT
  • Low switching loss
PackageIC(A)Type Name
(Update)		FeatureStatus*1Application Note
1in1 IGBT800
  • MBN800H45E2-H
    (PDF形式，477kBytes) (2015/05/15)
  • High isolation package
M 
1200
  • MBN1200H45E2-H
    (PDF形式，577kBytes) (2015/03/10)
  • High isolation package
M 
2in1 IGBT200
  • MBM200H45E2-H
    (PDF形式，528kBytes) (2015/03/10)
  • High isolation package
M 
2in1
Diode		800
  • MDM800H45E2-H
    (PDF形式，252kBytes) (2013/07/01)
  • High isolation package
W 
1200
  • MDM1200H45E2-H
    (PDF形式，227kBytes) (2015/03/10)
  • High isolation package
M 

*1

M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued

4500V F-Version

  • Advanced Trench HiGT - sLiPT
  • Low VCE(sat)
  • High current rating
  • RoHS compliance
PackageIC(A)FeatureApplication Note
1in1
IGBT		1000
  • High isolation package
  • technical paper*2
    (PDF形式, 1400kBytes)
1500
 

 

6500V E2-Version

  • Fine Planer HiGT - sLiPT
  • Low VCE(sat)
  • Soft switching
PackageIC(A)Type Name
(Update)		FeatureStatus*1Application Note
1in1 IGBT500
  • MBN500H65E2
    (PDF形式, 336kBytes)
    (2013/07/01)
  • High isolation package
M 
750
  • MBN750H65E2
    (PDF形式，430kBytes)
    (2015/03/10)
  • High isolation package
M 
2in1
Diode		500
  • MDM500H65E2
    (PDF形式, 255kBytes)
    (2013/07/01)
  • High isolation package
M 
750
  • MDM750H65E2
    (PDF形式, 250kBytes)
    (2013/07/01)
  • High isolation package
M 

留言框

  • 產(chǎn)品：

  • 您的單位：

  • 您的姓名：

  • 聯(lián)系電話：

  • 常用郵箱：

  • 省份：

  • 詳細(xì)地址：

  • 補(bǔ)充說(shuō)明：

  • 驗(yàn)證碼：

    請(qǐng)輸入計(jì)算結(jié)果（填寫阿拉伯?dāng)?shù)字），如：三加四=7

宣城市| 城口县| 刚察县| 河北区| 司法| 高州市| 拉萨市| 壶关县| 洛宁县| 电白县| 广丰县| 苏尼特右旗| 易门县| 收藏| 潮州市| 泰顺县| 乌兰浩特市| 石河子市| 浠水县| 喀喇| 昌吉市| 永康市| 山阴县| 呼图壁县| 六安市| 淮阳县| 根河市| 信阳市| 屯昌县| 孝昌县| 金川县| 通化市| 怀宁县| 邯郸市| 灵璧县| 大同县| 清远市| 岫岩| 苏尼特左旗| 阳原县| 邯郸市|