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三菱IPM升壓轉換模塊PM400DJA120
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成,其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。 IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),中大功率的IPM使用陶瓷絕緣
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三菱PIM逆變集成模塊CP25TD1-24A
專業(yè)銷售代理國內(nèi)外電力電子器件和功率模塊;主要代理及經(jīng)銷德國infneon(英飛凌);EUPEC(優(yōu)派克)、西門康、IXYS、AEG、TYCO,日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達,美國IR,瑞士ABB,英國西瑪,西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場效應模塊;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法國羅蘭
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TOSHIBA東芝PIM模塊MIG10Q806H
專業(yè)銷售代理國內(nèi)外電力電子器件和功率模塊;主要代理及經(jīng)銷德國infneon(英飛凌);EUPEC(優(yōu)派克)、西門康、IXYS、AEG、TYCO,日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達,美國IR,瑞士ABB,英國西瑪,西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場效應模塊;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法國羅蘭
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IXYS復合型PIM模塊MUBW 35-12 E7
專業(yè)銷售代理國內(nèi)外電力電子器件和功率模塊;主要代理及經(jīng)銷德國infneon(英飛凌);EUPEC(優(yōu)派克)、西門康、IXYS、AEG、TYCO,日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達,美國IR,瑞士ABB,英國西瑪,西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場效應模塊;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法國羅蘭
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