英飛凌大功率IGBT模塊FZ1000R12KF4

型號(hào)：	FZ1000R12KF4
報(bào) 價(jià)：	9999

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

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詳細(xì)資料：

德國英飛凌1單元IGBT 系列：
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FZ300R12KF2	FZ400R12KF2	FZ400R12KS4	FZ400R12KE3
FZ500R12KL4C	FZ600R12KE3	FZ600R17KE3	FZ800R12KE3
FZ600R12KS4	FZ800R12KF4	FZ800R16KF4	FZ800R33KF1
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FZ1200R12KL4C	FZ1200R16KF4-S1	FZ1200R25KF1	FZ1200R33KF1
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FZ1200R33KF1	FZ1600R12KF4	FZ1600R17KF6C	FZ1800R12KF4
FZ1500R25KF1	FZ1800R16KF4	FZ2400R12KF4	FZ2400R17KF6B
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FZ1600R12KE3	FZ2400R12KE3	FZ2400R12KL4C	FZ1600R12KL4C