產(chǎn)品展示
英飛凌IGBT模塊FZ1200R12HP4
| 型 號(hào)： | FZ1200R12HP4 |
| 報(bào) 價(jià)： | 1666 |
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
詳細(xì)資料：
英飛凌IGBT模塊FZ1200R12HP4
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4
IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4
VCES= 1200V
IC nom= 1200A / ICRM= 2400A
FZ3600R17HP4 3600A,1700V,IGBT4
FZ1200R12HP4
FZ1500R33HE3
FZ1500R33HE3
FZ2400R17HP4_B29
FZ1600R17HP4_B2
FZ3600R12HP4 3600A,1200V,IGBT4
FZ2400R12HP4_B9
