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您的位置：首頁  /  產(chǎn)品展示  /  IGBT模塊  /  三菱IGBT模塊  /  CM800E6C-66H三菱HVIGBT模塊CM800E6C-66H

三菱HVIGBT模塊CM800E6C-66H

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

  • 產(chǎn)品型號：CM800E6C-66H
  • 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間：2024-01-19
  • 訪  問  量：3804
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詳細(xì)介紹

北京京誠宏泰科技原裝正品銷售三菱HVIGBT模塊CM800E6C-66H

3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

IC...................................................................800A
VCES ....................................................... 3300V
Insulated Type
1-element in a Pack (for brake)
AISiC Baseplate

       CM800E2C-66H  CM800E4C-66H

　　CM800E6C-66H  CM400HG-66H

　　CM1200HG-66H  CM400HB-90H

　　CM600HB-90H   CM900HB-90H

　　CM600HG-130H

 

IGBT模塊以其驅(qū)動(dòng)電路的小型化、系統(tǒng)的輕型和效率化，使用于電氣鐵路和大型產(chǎn)業(yè)機(jī)器等需要高耐壓、大電流的功率電子設(shè)備，正在取代已往使用的晶閘管、GTO。推出HV（High Voltage）IGBT模塊產(chǎn)品陣容。

特長

  • 采用平面IGBT
  • 采用軟恢復(fù)二極管
  • AlSiC基板
  • 高絕緣包裝（Viso 10.2kV,AC 1min）也是產(chǎn)品陣容
  • 工作溫度范圍的擴(kuò)大

主要用途

變換器裝置 / 換流器裝置 / DC斬波器裝置

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