西門(mén)子可控硅模塊6SY7000-0AB06
| 型 號(hào)： | 6SY7000-0AB06 |
| 報(bào) 價(jià)： | 9999 |
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
詳細(xì)資料：
北京京誠(chéng)宏泰科技原裝正品銷售西門(mén)子可控硅模塊配件6SY7000-0AB06
ICE=170A;VCES=2000V
SIMOVERT MASTERDRIVES NETZ-THYRISTOR-MODUL
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