英飛凌IGBT模塊FF400R07KE4
| 型 號(hào)： | FF400R07KE4 |
| 報(bào) 價(jià)： | 888 |
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
詳細(xì)資料：
北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售英飛凌IGBT模塊FF400R07KE4
集電極—射極擊穿電壓: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 1.95 V
集電極zui大連續(xù)電流 Ic: 400 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
典型應(yīng)用
大功率變流器
電機(jī)傳動(dòng)
UPS系統(tǒng)
電氣特性
增加阻斷電壓至650V
提高工作結(jié)溫Tvjop
高短路能力，自限制短路電流
FF150R12KS4_B2
FF150R12KS4
FF150R12KT3G
FF150R12YT3
FF150R12ME3G
FF150R12MS4G
FF200R12KE3
FF200R12KE4
FF200R12KS4
FF200R12KT3_E
FF200R12KT3
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FF200R12MT4
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FF225R12MS4
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FF400R12KE3_B2
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FF400R12KT3_E
FF400R12KT3
FF400R12KL4C
FF450R12KE4
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FF450R12ME3
FF450R12ME4_B11
FF450R12ME4
FF450R12IE4
