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安川變頻器IGBT模塊CM50YE13-12F
CM50YE13-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM50YE13-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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安川變頻器IGBT模塊CM75YE13-12F
CM75YE13-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM75YE13-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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安川變頻器IGBT模塊CM150YE4-12F
CM150YE4-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM150YE4-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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安川變頻器IGBT模塊CM110YE4-12F
CM110YE4-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM110YE4-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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安川變頻器IGBT模塊CM165YE4-12F
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安川變頻器IGBT模塊CM200YE4-12F
CM200YE4-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM200YE4-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱igbt斬波模塊CM300E2U-12H
CM300E2U-12H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM300E2U-12H IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱igbt斬波模塊CM300E3Y-12E
CM300E3Y-12E北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM300E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱igbt斬波模塊CM200E3U-12E
CM200E3U-12E北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM200E3U-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱igbt斬波模塊CM200E3Y-12E
CM200E3Y-12E北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM200E3Y-12E。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱igbt斬波模塊CM150E3U-12E
CM150E3U-12E北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM150E3U-12E。型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱igbt斬波模塊CM150E3Y-12E
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三菱igbt斬波模塊CM100E3U-12E
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三菱igbt斬波模塊CM75E3U-12E
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三菱igbt斬波模塊CM75E3Y-12E
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三菱igbt斬波模塊CM50E3U-12E
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三菱igbt斬波模塊CM50E3Y-12E
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三菱模塊CM400DY-12NF
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三菱模塊CM400DY-12H
CM400DY-12H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM400DY-12H IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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