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智能IGBT模塊PM50RSD120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護(hù)電路構(gòu)成其中，PM50RSD120，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型（內(nèi)部封裝一個IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個IGBT）。

智能IGBT模塊PM50CSE120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護(hù)電路構(gòu)成其中，PM50CSE120，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型（內(nèi)部封裝一個IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個IGBT）。

智能IGBT模塊PM50RSE120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護(hù)電路構(gòu)成其中，PM50RSE120，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型（內(nèi)部封裝一個IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個IGBT）。

智能IGBT模塊PM50CSA120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護(hù)電路構(gòu)成其中，PM50CSA120，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型（內(nèi)部封裝一個IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個IGBT）。

三菱IPM模塊PM50RHA120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護(hù)電路構(gòu)成其中，PM50RHA120，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。

三菱IPM模塊PM50CLA120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護(hù)電路構(gòu)成其中，PM50CLA120，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。

三菱IPM模塊PM50RSA120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護(hù)電路構(gòu)成其中，PM50RSA120，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。

三菱IPM模塊PM75CSA120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護(hù)電路構(gòu)成其中，PM75CSA120，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。