IGBT模塊FZ1000R33HL3
點擊次數(shù)：2107 更新時間：2023-11-17
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
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IGBT模塊FZ825R33HE4D
品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊，最大規(guī)格1mΩ
新品
采用 1200V SiC M1H芯片的
62mm半橋模塊，最大規(guī)格1mΩ
1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半橋模塊現(xiàn)已上市。由于采用了 M1H芯片技術，模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅動電壓窗口方面性能得到了改善。這些模塊還提供預涂導熱界面材料（TIM）版本。
相關產(chǎn)品：
1，2，6mΩ，1200V 62mm半橋模塊
產(chǎn)品特點
集成體二極管，優(yōu)化了熱阻
最高的防潮性能
柵極氧化層可靠性
抗宇宙射線能力強
符合RoHS標準要求
應用價值
按照應用苛刻條件優(yōu)化
更低的電壓過沖
導通損耗最小
高速開關，損耗極低
對稱模塊設計實現(xiàn)對稱的上下橋臂開關行為
標準模塊封裝技術確?？煽啃?/p>
62毫米高產(chǎn)量生產(chǎn)線上生產(chǎn)
競爭優(yōu)勢
通過碳化硅擴展成熟的62毫米封裝的產(chǎn)品，以滿足快速開關要求和低損耗的應用。
電流密度最高，防潮性能強
應用領域
儲能系統(tǒng)
電動汽車充電
光伏逆變器
UPS
